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DMN5L06WKQ-7 零件图片(仅供参考)

DMN5L06WKQ-7
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DMN5L06WKQ-7 规格参数

还在为寻找一颗既小巧又强力的信号与功率开关而烦恼吗?让DMN5L06WKQ-7来为您解决!这颗N沟道MOSFET是专为高效、紧凑型应用设计的核心引擎。

它能为您做什么?它能让您轻松实现高达50V电压、300mA电流的精准控制,其优异的低导通电阻特性,能显著减少功率损耗,提升整体能效。无论是用于便携设备的负载开关,还是信号通路的快速切换,它都能确保快速响应和稳定运行。

更令人安心的是,其符合汽车级AEC-Q101标准的品质,以及宽广的工作温度范围,为您产品的长期可靠性与耐用性提供了坚实保障。选择它,就是选择了一份让设计更简单、让产品更出色的高效解决方案。

  • 型号:DMN5L06WKQ-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):50 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2 欧姆 @ 50mA,5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):250mW(Ta)
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • DMN5L06WKQ-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMN5L06WKQ-7 基本参数:

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