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还在为电源转换效率难以突破而困扰吗？DMN6013LFGQ-13就是您提升系统性能的得力助手。这颗N沟道MOSFET能为您做什么？它凭借仅13毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关导通时的能量损耗，让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关应用运行得更“冷静”、更高效，直接帮助您提升整机能效，减少散热负担。

它不仅仅高效，更无比可靠。作为通过AEC-Q101认证的汽车级产品，它能在-55°C至150°C的严酷温度范围内稳定工作，让您的设计无惧环境挑战。其优化的栅极特性让驱动设计更轻松，而PowerDI3333-8封装则确保了出色的散热能力与紧凑的占板面积。选择它，就是为您的产品注入了高性能与高可靠性的双重保障。

• 型号:DMN6013LFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.3A（Ta），45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2577 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN6013LFGQ-13，Diodes产品一站式供应商。