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还在为电路中的小功率开关选型犹豫不决吗？DMN601K-7 N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它能以极低的驱动电压（最低5V）精准控制高达300mA的电流通断，其优异的2欧姆导通电阻特性，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更节能、发热更少。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松实现负载开关、电平转换和信号隔离等功能，尤其适用于空间受限的便携式设备、物联网模块和各类消费电子产品。其坚固的60V耐压和宽温工作范围，确保了在各种严苛环境下的稳定表现，是您打造可靠、高效且紧凑型设计的理想伙伴。

• 型号:DMN601K-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN601K-7，Diodes产品一站式供应商。