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还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的开关器件吗？DMN601TK-7正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和300mA的连续电流能力，却能被精巧地封装在微型的SOT-523贴片封装内，让您轻松实现高密度电路板设计，毫不妥协于性能。

它专为高效开关而优化，仅需5V的低电压驱动即可实现低导通电阻，显著降低功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是用于便携设备的负载开关、信号路径选择，还是低功率DC-DC转换器，它都能提供快速、可靠的响应，确保系统高效稳定运行。

• 型号:DMN601TK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150mW（Ta）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMN601TK-7，Diodes产品一站式供应商。