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您正在寻找一颗能同时满足高效率、高可靠性和节省空间要求的功率开关芯片吗？DMN6022SSD-13正是您的理想之选。这颗双N沟道MOSFET阵列拥有60V耐压和仅29毫欧的低导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源管理或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它通过了严苛的AEC-Q101汽车级认证，确保从-55°C到150°C的极端温度下性能稳定如一。紧凑的SO-8封装让您轻松应对PCB空间挑战。无论是用于车身控制、LED驱动还是负载开关，DMN6022SSD-13都能以卓越的性能，让您的设计脱颖而出，轻松实现系统级的能效与可靠性提升。

• 型号:DMN6022SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta），14A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2110pF @ 30V
• 功率 - 最大值:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMN6022SSD-13，Diodes产品一站式供应商。