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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMN6040SFDEQ-13这款N沟道MOSFET，就是您提升系统能效的得力助手。它能在高达60V的电压和5.3A的电流下稳定工作，并以低至38毫欧的导通电阻，大幅降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片专为要求苛刻的应用而设计。其快速的开关特性（栅极电荷仅22.4nC）让您轻松实现高效能的DC-DC转换和精准的电机控制。采用紧凑的U-DFN封装，不仅节省电路板空间，其优异的散热性能更能应对高密度设计的挑战。无论是汽车电子、工业电源还是高端消费类产品，它都能助您一臂之力。

更重要的是，它符合AEC-Q101车规标准，工作温度范围宽达-55°C至150°C，提供了卓越的可靠性与耐久性。选择DMN6040SFDEQ-13，就是为您的产品选择了高效、稳定与紧凑的完美平衡，让设计难题迎刃而解。

• 型号:DMN6040SFDEQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 4.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1287 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMN6040SFDEQ-13，Diodes产品一站式供应商。