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您正在寻找一颗能显著提升电源效率、让设备运行更凉爽持久的MOSFET吗？DMN6040SK3Q-13正是为您而来。这颗来自Diodes Incorporated的优质MOSFET，专为41V至60V的中压应用场景优化设计，它能高效地控制能量通断，大幅降低开关过程中的功率损耗，从而让您的电源模块、电机驱动或LED照明系统运行得更安静、更高效。

采用可靠的TO252封装，它不仅提供了良好的散热路径，确保在高负载下稳定工作，其紧凑的尺寸也让您的PCB布局更加灵活，轻松实现产品的小型化与高密度集成。选择DMN6040SK3Q-13，就是选择了一个经过验证的高性能解决方案，它能帮助您简化设计挑战，加速产品开发，最终打造出在能效和可靠性上都更具市场吸引力的出色产品。

• 型号:DMN6040SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1287 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN6040SK3Q-13，Diodes产品一站式供应商。