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还在为寻找一颗既能承受60V高压、通过5A大电流，又具备极低导通损耗的MOSFET而烦恼吗？DMN6040SSD-13双N沟道MOSFET阵列正是为您量身打造的效率引擎。它凭借仅40毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更持久。

这颗芯片的逻辑电平门设计（驱动电压阈值低至3V）让您能够轻松地使用微控制器直接驱动，省去复杂的外围电路，简化设计并降低成本。其快速的开关特性（栅极电荷仅22.4nC）确保了在高频应用中的高效表现。无论是用于同步整流、负载开关还是电机控制，DMN6040SSD-13都能帮助您构建出更紧凑、更高效、更可靠的下一代电子产品。

• 型号:DMN6040SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.4nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1287pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMN6040SSD-13，Diodes产品一站式供应商。