我们为全球各个行业提供Diodes DMN6040SSS-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关芯片吗？DMN6040SSS-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和5.5A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于低至40毫欧的超低导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的电源设计更高效、更凉爽。

它采用紧凑的8-SO封装，非常适合空间受限的现代电子设备。优异的开关特性（如低栅极电荷）让驱动电路设计变得轻松，帮助您简化系统、提升效率。无论是开发新的快充适配器、升级电机驱动，还是优化DC-DC转换器，选择DMN6040SSS-13，就是为您的产品注入了高效可靠的核心动力。

• 型号:DMN6040SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 5.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1287 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMN6040SSS-13，Diodes产品一站式供应商。