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还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起高效开关重任的MOSFET而烦恼吗？DMN6066SSD-13双N沟道MOSFET正是您的理想之选。它凭借逻辑电平门控和超低导通电阻，让您能轻松驱动电机、高效管理电源转换，显著降低系统能耗与发热。

这颗芯片能为您做什么？它让您的设计更简洁，直接兼容3.3V/5V微控制器，省去复杂的电平转换电路。同时，其快速的开关特性与稳健的60V/3.3A能力，确保在DC-DC转换、负载开关等应用中响应迅速、运行可靠，助您轻松打造出性能出众且续航更持久的终端产品。

• 型号:DMN6066SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:66 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:502pF @ 30V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMN6066SSD-13，Diodes产品一站式供应商。