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还在寻找那颗能同时兼顾高效能与高可靠性的功率开关芯片吗？DMN6068SE-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有60V/4.1A的强劲处理能力，其核心价值在于超低的68毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动电路运行得更凉爽、更高效。

它采用优化的MOSFET技术，具备快速的开关特性（低栅极电荷）和稳定的驱动性能，让您轻松实现精准的功率控制。无论是用于提升便携设备的续航，还是强化工业设备的可靠性，它都能出色完成任务。其坚固的SOT-223封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种应用场景下的长久稳定运行。

选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”，简化设计挑战，直接提升终端产品的市场竞争力。

• 型号:DMN6068SE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:68 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:502 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• DMN6068SE-13，Diodes产品一站式供应商。