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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？DMN6069SE-13正是为您量身打造的解决方案。它能让您的设计轻松驾驭60V电压和10A电流，其超低的69毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，直接提升系统整体效率。

这颗采用先进MOSFET技术的芯片，拥有快速的开关特性（栅极电荷仅16nC）和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保它在汽车、工业等严苛应用中稳定运行。紧凑的SOT-223封装让您高效利用电路板空间，同时满足高功率密度的设计需求。选择它，就是为您的产品注入了强劲、可靠的核心动力。

• 型号:DMN6069SE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta），10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:825 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• DMN6069SE-13，Diodes产品一站式供应商。