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还在寻找一颗能兼顾高性能与小体积的功率开关吗？DMN6069SFG-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和高达5.6A的连续漏极电流，却采用了超紧凑的PowerDI3333-8封装，让您能在寸土寸金的PCB上实现更强大的功率处理能力。

它的核心价值在于“高效”。仅50毫欧的最大导通电阻，意味着更低的导通损耗和更少的发热，直接提升您的系统整体能效。同时，其快速的开关特性（栅极电荷仅25nC）和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），确保它在从消费电子到工业控制的各类应用中都能稳定、可靠地工作。选择DMN6069SFG-13，就是选择为您的产品注入一颗强劲、节能且可靠的心脏。

• 型号:DMN6069SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Ta），18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:930mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN6069SFG-13，Diodes产品一站式供应商。