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想象一下，一颗芯片就能让您的电源电路效率显著提升，同时大幅简化布局DMN6070SSD-13正是这样的存在。它集成了两个高性能的N沟道MOSFET，能轻松处理高达60V的电压和3.3A的连续电流，其超低的80毫欧导通电阻直接为您减少了功率损耗，意味着更低的发热和更高的能源利用率。

这颗芯片专为逻辑电平驱动优化，让您能直接使用微控制器的GPIO口进行高效控制，无需复杂的电平转换电路。无论是用于DC-DC转换器中的同步整流，还是作为负载开关精准管理电源通路，它都能让您的设计更紧凑、响应更迅捷。选择它，就是为您的产品选择了一份可靠的高效动力保障。

• 型号:DMN6070SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:588pF @ 30V
• 功率 - 最大值:1.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMN6070SSD-13，Diodes产品一站式供应商。