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还在为空间有限的电路板寻找一颗强健的“电力开关”吗？DMN6075S-7正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和2A的电流处理能力，能轻松胜任各种电源管理任务，无论是通断控制还是功率转换，都表现得高效而可靠。

它最吸引人的地方在于其卓越的能效。极低的导通电阻意味着电流通过时损耗更小，发热更低，直接帮助您的设备延长续航、运行更稳定。同时，SOT-23的超小封装让您能在寸土寸金的PCB上实现更灵活的设计，毫不妥协性能。

简而言之，DMN6075S-7让您以极小的空间和功耗成本，获得强大的功率开关性能，是提升产品竞争力的秘密武器。

• 型号:DMN6075S-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:606 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN6075S-7，Diodes产品一站式供应商。