我们为全球各个行业提供Diodes DMN60H3D5SK3-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压开关应用的效率瓶颈寻找突破口吗？DMN60H3D5SK3-13正是为您而来的高效能N沟道MOSFET。它凭借600V的高耐压和2.8A的电流处理能力，让您的电源设计轻松应对高压输入，同时其低至3.5欧姆的导通电阻，能显著减少能量损耗，提升整体系统效率。

这颗芯片采用紧凑的TO-252表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间。其优异的栅极电荷特性让开关动作更快更干净，配合宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的产品无论是面对复杂的工业环境还是日常的消费应用，都能稳定可靠地运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:DMN60H3D5SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:354 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN60H3D5SK3-13，Diodes产品一站式供应商。