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还在寻找那颗能兼顾高效能与迷你体积的功率开关吗？DMN6140L-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和1.6A的连续电流能力，却能被封装在微小的SOT-23里，让您轻松实现高密度电路设计，彻底解放PCB空间。

它的核心魅力在于极低的功率损耗。140毫欧的超低导通电阻（在10V驱动下），意味着电流通过时产生的热量更少，电能转换效率大幅提升。这不仅能让您的设备运行得更凉爽、更持久，还能显著降低整体系统的热管理难度和成本。同时，其优异的开关特性让您的控制响应更加迅速精准。

无论是为电池供电设备延长续航，还是在紧凑型电源模块中提升功率密度，DMN6140L-13都能让您的设计事半功倍。选择它，就是选择了一条通往更高性能、更小体积和更高可靠性的捷径。

• 型号:DMN6140L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 1.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN6140L-13，Diodes产品一站式供应商。