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还在为功率开关的尺寸、效率和驱动复杂性头疼吗？DMN6140L-7 N沟道MOSFET就是为您量身打造的解决方案。这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达60V的电压和1.6A的连续电流，凭借其超低的140毫欧导通电阻，显著减少开关损耗，直接提升您整个系统的能源效率，延长电池供电设备的工作时间。

它采用微小的SOT-23封装，为您节省每一寸珍贵的电路板空间。更令人惊喜的是，仅需4.5V的低驱动电压即可实现优异性能，大大简化了您的驱动电路设计，让开发过程更加高效顺畅。无论是用于电源转换、电机控制还是负载开关，DMN6140L-7都能以稳定的表现和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保您的产品在各种环境下可靠运行，助您快速将创意转化为市场领先的产品。

• 型号:DMN6140L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 1.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN6140L-7，Diodes产品一站式供应商。