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还在寻找一颗能在有限空间内扛起功率开关重任的“小巨人”吗？DMN6140LQ-7正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET集60V耐压与1.6A电流能力于一身，却拥有仅140毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的能量损耗，让您的电源管理或电机驱动方案效率飙升。

它采用易于生产的SOT-23封装，为您节省每一毫米的电路板空间。更低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷。无论是用于负载开关、DC-DC转换还是电池保护电路，DMN6140LQ-7都能让您轻松实现高效、可靠且紧凑的设计，助力您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:DMN6140LQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 1.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN6140LQ-7，Diodes产品一站式供应商。