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还在为空间有限的电路板寻找一颗“小而强”的开关核心吗？DMN61D8L-13正是您的理想之选。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，集60V耐压、470mA持续电流能力于一身，却仅采用微小的SOT-23封装，让您能在最紧凑的设计中实现高效、可靠的负载控制与信号切换。

它拥有优异的电气特性：仅需3V至5V的低驱动电压即可完全开启，导通电阻低至1.8欧姆，能显著降低功率损耗和发热。同时，其极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关响应速度。这一切特性，让您可以轻松地将它集成到便携设备、传感器模块、电源管理电路等应用中，大幅提升系统的能效与整体性能。

• 型号:DMN61D8L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):470mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12.9 pF @ 12 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN61D8L-13，Diodes产品一站式供应商。