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您正在寻找一颗能轻松胜任60V以下电路开关任务的“高效能手”吗？DMN61D8LQ-7正是这样一款N沟道MOSFET，它专为高效能量控制而设计。凭借仅470mA的连续漏极电流和低至1.8欧姆的导通电阻，它能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片能为您做什么？它让您能够以最低3V的驱动电压，实现快速、干净的信号切换与功率控制。其极低的栅极电荷和输入电容，确保了超快的开关响应速度，非常适合电池供电设备、便携式仪器及各种需要节能开关的场合。采用紧凑的SOT-23封装，它能轻松融入您高密度的PCB布局，是空间受限应用的理想选择。

• 型号:DMN61D8LQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):470mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12.9 pF @ 12 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN61D8LQ-7，Diodes产品一站式供应商。