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还在为复杂的双路开关控制寻找简洁高效的解决方案吗？DMN61D8LVT-13双N沟道MOSFET就是您的理想答案。它能让您轻松驾驭高达60V的电压，并以仅1.8欧姆的低导通电阻，确保电流通路顺畅无阻，显著降低功率损耗，提升整体系统效率。

这颗芯片专为空间受限的现代电子设备而生。其超小的TSOT-26封装，让您能在寸土寸金的电路板上实现高密度布局，同时逻辑电平门控特性让您可以直接用微处理器的低压信号进行驱动，简化电路设计。无论是用于负载切换、信号隔离还是电源路径管理，它都能以快速响应和低栅极电荷，让您的设备运行更迅捷、更节能。

• 型号:DMN61D8LVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):630mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12.9pF @ 12V
• 功率 - 最大值:820mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMN61D8LVT-13，Diodes产品一站式供应商。