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还在为电路板上的空间和效率发愁吗？DMN61D8LVT-7双N沟道MOSFET就是您的理想答案。这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效、紧凑的功率开关与信号切换。其逻辑电平门特性让微控制器可以直接驱动，简化设计；高达60V的耐压和630mA的电流能力，则为您的小型电机、负载开关提供可靠动力。

更重要的是，它凭借超低的导通电阻和栅极电荷，显著降低功率损耗与发热，提升整体能效。TSOT-26的超小封装，完美适配高密度PCB布局，让您的产品在性能和体积上都更具竞争力。选择DMN61D8LVT-7，就是选择用一颗芯片，解决空间、效率与可靠性的多重挑战。

• 型号:DMN61D8LVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):630mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12.9pF @ 12V
• 功率 - 最大值:820mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMN61D8LVT-7，Diodes产品一站式供应商。