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还在为复杂的双路开关设计头疼吗？DMN61D8LVTQ-13双N沟道MOSFET阵列，就是您简化设计、提升效率的得力助手。它内置两个独立的逻辑电平MOSFET，让您仅用一颗芯片就能轻松控制两路负载，直接兼容3.3V或5V微控制器，省去额外的驱动电路，让您的PCB布局更简洁，成本更优。

这颗芯片能为您做什么？它让您高效管理高达60V电压、630mA电流的负载，同时凭借低至1.8欧姆的导通电阻，将开关损耗降至最低，显著提升系统能效。无论是用于便携设备的电源管理、信号切换，还是驱动小型电机和LED，其快速的开关响应和出色的热性能都能确保稳定可靠的运行。选择它，就是选择了一种更智能、更紧凑的电路解决方案。

• 型号:DMN61D8LVTQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):630mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12.9pF @ 12V
• 功率 - 最大值:820mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMN61D8LVTQ-13，Diodes产品一站式供应商。