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还在为空间有限的电路板寻找一颗性能强劲的“双核”开关吗？DMN61D8LVTQ-7正是为您而来。这颗双N沟道MOSFET阵列，能让您轻松实现高效的负载切换与信号控制。其逻辑电平门设计意味着您可以直接用微控制器的5V GPIO口驱动，无需复杂的电平转换电路，大大简化了您的设计。

凭借60V的耐压能力和630mA的连续电流，它足以应对大多数便携设备和模块的功率需求。更关键的是，其超低的导通电阻和栅极电荷，能显著减少开关损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。采用微型TSOT-26封装，它几乎不占用板面空间，是追求高密度与高可靠性设计的理想选择。

• 型号:DMN61D8LVTQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):630mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12.9pF @ 12V
• 功率 - 最大值:820mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMN61D8LVTQ-7，Diodes产品一站式供应商。