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您正在寻找一颗能轻松驾驭60V以下电压、精准控制数百毫安级电流的微型开关吗？DMN61D9U-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET就像一个高效、敏捷的“电子阀门”，让您能以极低的驱动电压（最低1.8V）轻松控制电路的通断，实现电源管理、信号切换或负载驱动的核心功能。

它的卓越之处在于高效与节能。仅2欧姆的典型导通电阻，意味着电流通过时产生的热量损耗极低，让您的系统运行更凉爽，能效比显著提升。同时，其超低的栅极电荷确保了快速的开关响应，非常适合需要频繁切换的应用，帮助您优化整体性能。所有这些强大功能，都被集成在微小的SOT-23-3封装内，为您节省宝贵的电路板空间，让设计更加紧凑灵活。

• 型号:DMN61D9U-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):380mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:28.5 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN61D9U-13，Diodes产品一站式供应商。