我们为全球各个行业提供Diodes DMN61D9U-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能高效、精准控制小功率电路的“智能开关”吗？DMN61D9U-7正是为此而生。这款N沟道MOSFET能轻松担当您电路中的关键角色，凭借其60V的耐压和380mA的电流处理能力，让您在电源管理、信号切换或负载驱动等应用中得心应手。

它的核心魅力在于高效与易用。仅需1.8V的低驱动电压即可高效导通，完美匹配现代低功耗MCU，让您的设计更简洁。同时，其极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关响应，能显著减少开关损耗，提升整体系统能效。无论是用于延长电池寿命，还是提升信号完整性，它都能让您的产品表现更加出色。

• 型号:DMN61D9U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):380mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:28.5 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN61D9U-7，Diodes产品一站式供应商。