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还在为电路板上的空间和效率发愁吗？DMN61D9UDW-13双N沟道MOSFET阵列，正是为您的高效紧凑设计而生。它集成了两个独立的60V耐压、350mA电流能力的MOSFET，让您能在信号切换、负载驱动等关键电路中，轻松实现双路控制，同时大幅节省PCB面积。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效表现。它拥有低至2欧姆的导通电阻和极小的栅极电荷，这意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，能显著减少功率浪费和发热，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和表面贴装设计，进一步确保了它在各种应用环境下的高可靠性与易用性，是提升产品整体竞争力的理想选择。

• 型号:DMN61D9UDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.4nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:28.5pF @ 30V
• 功率 - 最大值:320mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN61D9UDW-13，Diodes产品一站式供应商。