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当您的设计需要一颗小巧却可靠的“电子开关”时，DMN62D0LFD-13正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET采用经典的SOT23封装，专为空间受限的便携式设备和精密电路板而优化，让您轻松实现高效的电源管理与信号路径控制。

它能够帮助您精准地开关电路，管理功率流向，在电池供电设备、智能传感器模块或各类接口电路中发挥关键作用。选择它，意味着您选择了一个久经考验的成熟方案，能显著降低设计风险，加速产品开发进程，让您的项目高效、稳定地向前推进。

• 型号:DMN62D0LFD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1212-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH X1-DFN1212-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):310mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:31 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1212-3
• 封装/外壳:3-UDFN
• DMN62D0LFD-13，Diodes产品一站式供应商。