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您正在设计需要高效、紧凑电源开关方案的电路吗？DMN62D0LFD-7正是为您而来。这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，拥有60V的耐压和310mA的连续电流能力，能轻松担当起您电路中精准的能量闸门角色。

它的魅力在于高效与易用。仅需1.8V的低驱动电压即可开启，让您能轻松兼容各类低压微控制器。其低至2欧姆的导通电阻，意味着更少的能量损耗和发热，直接提升您的系统能效。无论是用于负载开关、电平转换还是电机驱动，它都能让您的设计运行得更流畅、更可靠。

此外，它采用超小型的3DFN表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，非常适合空间受限的便携式设备和模块化设计。选择DMN62D0LFD-7，就是选择了一颗能让您的产品在性能和体积上均占优势的核心器件。

• 型号:DMN62D0LFD-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1212-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):310mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:31 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1212-3
• 封装/外壳:3-UDFN
• DMN62D0LFD-7，Diodes产品一站式供应商。