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还在为电路板空间紧张而发愁吗？DMN62D0UDW-13双N沟道MOSFET阵列就是为您量身定制的空间节省大师。它将两个独立的60V/350mA开关集成在一个微小的SOT-363封装内，让您用一颗芯片的面积，轻松实现双路信号或负载的高效控制。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至2欧姆的导通电阻和极低的栅极驱动需求，确保开关过程高效、损耗最小。无论是驱动微型电机、管理LED灯串，还是进行精密的电源切换，它都能让您的设计更简洁、运行更可靠。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）更能适应各种苛刻环境，是提升产品竞争力和可靠性的明智之选。

• 型号:DMN62D0UDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:32pF @ 30V
• 功率 - 最大值:320mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN62D0UDW-13，Diodes产品一站式供应商。