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还在为电路板空间局促而烦恼，担心开关元件的性能与可靠性吗？让DMN62D0UT-7为您开启高效紧凑设计的新篇章。这颗双N沟道MOSFET阵列，集成了高达60V的耐压能力于微小的SOT-363封装之中，专为空间受限的高性能应用而生。

它能让您轻松实现高效的负载切换与电源管理，显著提升系统能效。其表面贴装型设计简化了您的生产流程，而稳定的性能则确保了产品的长期可靠性。无论是便携设备还是高密度模块，选择它，就是选择了一种让设计更优雅、让性能更出众的智能解决方案。

• 型号:DMN62D0UT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:32 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMN62D0UT-7，Diodes产品一站式供应商。