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您是否希望为紧凑型设计找到一颗既高效又可靠的“心脏级”开关？DMN62D0UW-7 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它能在高达60V的电压和340mA的电流下稳定工作，凭借低至1.8V的驱动门槛和优异的导通电阻，显著降低系统功耗与发热，让您的设备运行更持久、更冷静。

这颗芯片专为空间受限的高性能应用而优化。其超小的SOT-323封装能轻松嵌入各类便携式电子产品、电池保护模块及精密控制电路中。极低的栅极电荷确保了快速的开关响应，宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则提供了强大的环境适应性。选择它，就是为您的产品选择了一颗高效、紧凑且值得信赖的功率管理核心。

• 型号:DMN62D0UW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):340mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:32 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN62D0UW-7，Diodes产品一站式供应商。