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还在为空间有限的PCB板上寻找一颗高效、可靠的功率开关而烦恼吗？让DMN62D0UWQ-7来为您解决难题！这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其SOT-323的微型封装和高达60V/340mA的耐压/电流能力，让您能在便携设备、汽车电子模块等紧凑设计中，轻松实现高效的电源切换与负载控制。

它专为追求卓越而生。仅需1.8V的低驱动电压即可高效导通，让您能直接使用微控制器的GPIO口进行驱动，极大简化了电路设计。同时，其极低的导通电阻和栅极电荷，确保了开关过程中的能量损耗最小化，从而显著提升系统整体能效，延长电池续航时间。选择它，就是为您的产品选择了高效、可靠与小型化的完美结合。

• 型号:DMN62D0UWQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):340mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:32 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN62D0UWQ-7，Diodes产品一站式供应商。