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您正在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的功率开关解决方案吗？DMN62D1LFB-7B正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和320mA的连续电流能力，却能被封装在极其微小的3DFN外壳中，让您轻松实现高密度电路板设计，为产品瘦身增效。

它能让您的系统运行更加高效稳定。仅需1.5V的低驱动电压即可高效导通，配合极低的导通电阻和栅极电荷，大幅降低了开关损耗和驱动功耗。无论是用于负载开关、电源管理还是信号切换，它都能提供快速、干净的开关动作，确保您的设备响应敏捷，续航持久。

• 型号:DMN62D1LFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:64 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• DMN62D1LFB-7B，Diodes产品一站式供应商。