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您是否希望为您的紧凑型设计找到一颗既强悍又小巧的“心脏”？DMN62D1LFD-13正是为此而生。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有60V的耐压和400mA的持续电流能力，却能轻松嵌入最微小的空间。它的低驱动电压让您可以直接用微控制器进行控制，极大地简化了电路设计。

更重要的是，它能让您的系统运行得更“冷静”、更高效。极低的导通损耗意味着更少的能量浪费和更长的电池寿命，而宽广的工作温度范围则确保了在各种严苛环境下的稳定表现。选择它，就是为您的便携设备、电源模块或电池管理应用选择了一个可靠、高效且节省空间的完美开关解决方案。

• 型号:DMN62D1LFD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1212-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.55 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:36 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1212-3
• 封装/外壳:3-UDFN
• DMN62D1LFD-13，Diodes产品一站式供应商。