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您正在为空间受限的智能设备寻找一颗高效、可靠的“电力开关”吗？DMN62D1LFD-7正是为您而来！这颗N沟道MOSFET能轻松胜任60V电压、400mA电流下的开关任务，其卓越的低导通电阻特性，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更持久、发热更少。

它专为高效驱动而优化，仅需1.8V至4V的低驱动电压即可完全导通，让您能轻松使用各类微控制器进行直接控制。超小的栅极电荷和输入电容确保了极快的开关速度，进一步提升整体系统效率。无论是用于电池管理、负载开关还是信号切换，DMN62D1LFD-7都能以微型3DFN封装之躯，为您的设计提供强大、静默而高效的动力核心。

• 型号:DMN62D1LFD-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1212-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.55 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:36 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1212-3
• 封装/外壳:3-UDFN
• DMN62D1LFD-7，Diodes产品一站式供应商。