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您正在寻找一颗能兼顾高性能、高可靠性与极致小巧的功率开关吗？DMN62D1LFDQ-7正是为您而来。这颗通过AEC-Q101认证的N沟道MOSFET，拥有60V耐压与400mA电流能力，凭借低至1.5V的驱动电压和2欧姆的导通电阻，它能轻松胜任电池供电设备的精密电源切换任务，显著提升能效。

它采用超紧凑的U-DFN1212-3封装，为您节省每一毫米的电路板空间，同时确保从-55°C到150°C的宽温范围内稳定工作。无论是智能穿戴、车载电子还是工业控制，选择它，就是选择了一份让设计更简洁、让产品更耐用的信心保障。

• 型号:DMN62D1LFDQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN1212-3（C 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T\\u0026R 3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.55 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:36 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN1212-3（C 类）
• 封装/外壳:3-PowerUDFN
• DMN62D1LFDQ-7，Diodes产品一站式供应商。