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还在为有限的PCB空间和复杂的电源管理需求而烦恼吗？DMN63D0LT-7正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，采用先进的SOT523超紧凑封装，却拥有高达100V的漏源电压处理能力。它能让您轻松实现高效的能量开关与负载驱动，将宝贵的空间留给更多创新功能。

无论是快速切换还是稳定导通，它都能出色完成任务，显著降低系统的导通损耗，提升整体能效。选择它，就是选择了一种让设计更简洁、性能更可靠、生产更高效的智能方式，助您轻松攻克各类便携式与高密度应用的电源挑战。

• 型号:DMN63D0LT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N-CH 100V SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:-
• 配置:-
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
• DMN63D0LT-7，Diodes产品一站式供应商。