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您正在设计需要精密电源管理的便携式设备吗？DMN63D1L-7 N沟道MOSFET就是为您量身打造的微型开关专家。它能以高达60V的耐压和380mA的电流处理能力，让您轻松实现负载的快速、高效通断控制，是电池供电设备中延长续航、提升能效的理想选择。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的易驱动性和低损耗特性。仅需2.5V的低开启电压和微小的栅极电荷，让您可以直接用微控制器的信号轻松驾驭它，无需额外驱动电路，大大简化了您的设计。同时，其超低的导通电阻和开关损耗，意味着更少的能量浪费和更长的设备工作时间。

无论是用于智能穿戴设备的电源路径管理，还是物联网传感器模块的节能开关，DMN63D1L-7都能以其SOT-23封装的微小体积和稳定可靠的性能，助您打造出更紧凑、更高效、更具竞争力的终端产品。

• 型号:DMN63D1L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):380mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:30 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN63D1L-7，Diodes产品一站式供应商。