我们为全球各个行业提供Diodes DMN63D1LT-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗体积小巧、驱动简单且高效的负载开关而烦恼吗？DMN63D1LT-7 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它能让您轻松驾驭高达60V电压和320mA电流的负载，仅需标准的5V逻辑电平即可高效控制通断，显著简化您的驱动电路设计。

这颗芯片采用先进的MOSFET技术，导通电阻低至2欧姆，能极大减少开关过程中的功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。其超低的栅极电荷和输入电容特性，确保了极快的开关速度，完美适配需要高频切换的应用场景。无论是电池供电设备的电源路径管理，还是信号链路的精密切换，DMN63D1LT-7都能以卓越的性能和SOT-523封装的极小占位面积，助您打造出更紧凑、更可靠的下一代电子产品。

• 型号:DMN63D1LT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:392 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:30 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMN63D1LT-7，Diodes产品一站式供应商。