我们为全球各个行业提供Diodes DMN63D1LV-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

在追求极致紧凑与高效能的今天，一颗芯片如何能同时担当双重职责，简化您的电路设计？DMN63D1LV-7就是您的答案。它集成了两个独立的N沟道MOSFET于一个微小的SOT-563封装内，为您提供高达60V的耐压和550mA的电流处理能力，让您轻松实现双路信号切换、负载控制或电源管理功能，大幅节省宝贵的PCB空间。

这颗芯片的核心优势在于其出色的效率。它拥有低至2欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，这意味着更少的能量会在开关过程中以热量形式耗散，从而让您的设备运行更凉爽、电池续航更持久。无论是驱动微型电机、管理LED背光，还是在便携式设备的电源路径中进行智能分配，DMN63D1LV-7都能以高效、可靠的性能，助您打造出更精致、更强大的终端产品。

• 型号:DMN63D1LV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.55A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):550mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.392nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:30pF @ 25V
• 功率 - 最大值:940mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMN63D1LV-7，Diodes产品一站式供应商。