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还在为电路中的小功率切换寻找一颗既高效又省空间的“心脏”吗？DMN63D1LW-7 N沟道MOSFET就是您的理想之选。它能在高达60V的电压下，轻松驾驭380mA的连续电流，凭借低至2欧姆的导通电阻，显著降低开关损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的便携设备、电池保护板或信号调理电路实现高效、快速的功率开关与路径管理。其极低的栅极电荷确保了迅猛的开关响应，非常适合需要节能和高频操作的场景。同时，微型的SOT-323封装为您节省了宝贵的电路板空间，助力产品设计更加精巧。选择它，就是为您的项目注入一份高效与可靠的核心动力。

• 型号:DMN63D1LW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 380MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):380mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:30 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN63D1LW-7，Diodes产品一站式供应商。