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还在寻找一颗能完美融入您紧凑型设计的微型开关解决方案吗？DMN63D8LDW-7双N沟道MOSFET阵列，正是您期待的答案。它专为空间受限的现代电子设备量身打造，让您能在指甲盖大小的面积内，轻松实现高效的信号切换与电源管理。

这颗芯片能为您做什么？它凭借逻辑电平门控（1.5V典型阈值）和低至2.8欧姆的导通电阻，让您可以直接用微控制器的GPIO口高效驱动，显著简化电路设计。其30V/220mA的稳健性能，确保在传感器开关、音频通道选择、LED控制等应用中游刃有余。同时，微小的SOT-363封装和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，让您的产品不仅更轻薄，而且更可靠、更耐用。

选择DMN63D8LDW-7，就是选择了一种高效、可靠的设计路径。它能帮助您降低系统复杂度，节省宝贵的PCB空间，并最终打造出性能出众、竞争力更强的终端产品。

• 型号:DMN63D8LDW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.87nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22pF @ 25V
• 功率 - 最大值:300mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN63D8LDW-7，Diodes产品一站式供应商。