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还在为电路板空间捉襟见肘而发愁吗？DMN63D8LV-7双N沟道MOSFET阵列就是您的空间魔术师。它采用微型SOT-563封装，却集成了两个独立的逻辑电平MOSFET，让您能在指甲盖大小的面积内实现高效的信号切换与负载控制，轻松应对可穿戴设备、便携式电子产品等高密度设计挑战。

这颗芯片能为您做什么？它凭借30V耐压、260mA电流能力以及低至2.8欧姆的导通电阻，确保开关动作既快速又高效，显著降低功率损耗。其1.5V的低开启电压让您可以直接用微控制器GPIO口驱动，简化设计。无论是管理电池供电路径，还是驱动小型执行机构，DMN63D8LV-7都能以出色的性能和可靠性，让您的产品运行更流畅、更节能。

• 型号:DMN63D8LV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.87nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22pF @ 25V
• 功率 - 最大值:450mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMN63D8LV-7，Diodes产品一站式供应商。