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还在为电路板上的空间捉襟见肘，却又需要一颗可靠的开关管而烦恼吗？DMN63D8LW-13正是为您量身打造的解决方案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，以其仅SOT-323的微型封装，轻松集成到任何紧凑设计中，却毫不妥协地提供了30V耐压和380mA的连续电流处理能力。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。仅需2.5V的低驱动电压即可完全导通，配合极低的栅极电荷和输入电容，实现了飞速的开关响应，大幅降低开关损耗。这意味着您的便携设备续航更长，传感器响应更快，整体系统运行更凉爽、更稳定。无论是用于电源路径管理、负载开关还是信号切换，它都能出色完成任务。

选择DMN63D8LW-13，就是选择了一颗能让您轻松优化能效、节省空间并提升产品可靠性的智能芯片。它坚固耐用，工作温度范围宽广，是助您将创新设计快速推向市场的得力伙伴。

• 型号:DMN63D8LW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):380mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:23.2 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN63D8LW-13，Diodes产品一站式供应商。