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还在为小型化设备中的高效电源切换寻找一颗“全能心脏”吗？DMN65D8L-7 N沟道MOSFET就是您期待的答案。这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松实现高达60V电压下、310mA电流的精准、高效开关控制，其超低的导通电阻（最低仅3欧姆）意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接助力您的产品提升能效，延长续航。

得益于其SOT-23超小封装和优异的开关特性（低栅极电荷与输入电容），它能被您灵活嵌入任何空间受限的PCB设计中，实现快速的负载通断与信号路径管理。无论是电池供电的便携设备、物联网传感器节点，还是精密的模拟电路，它都能稳定可靠地工作，让您的设计在性能与体积之间找到完美平衡点，轻松应对各种挑战。

• 型号:DMN65D8L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):310mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 115mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN65D8L-7，Diodes产品一站式供应商。