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还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的开关解决方案吗？DMN65D8LDW-7双N沟道MOSFET阵列就是您的理想之选。它专为空间受限、追求高效的应用而设计，让您轻松实现紧凑电路板上的可靠信号切换与电源管理。

这颗芯片能为您做什么？它让您可以直接用微控制器的低电压逻辑信号（最低驱动电压仅2V）来高效控制高达60V、180mA的负载，省去额外的驱动电路，简化设计。其超快的开关特性和低导通电阻，确保信号完整性的同时，极大降低了功耗与发热，让您的产品运行更凉爽、更持久。无论是便携设备、传感器接口还是精密模拟开关，它都能助您一臂之力。

• 型号:DMN65D8LDW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 115mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.87nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22pF @ 25V
• 功率 - 最大值:300mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN65D8LDW-7，Diodes产品一站式供应商。