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还在寻找能完美融入微型化设计的功率开关解决方案吗？DMN65D8LDWQ-13双N沟道MOSFET阵列正是为您而来。它能在高达60V的电压下稳定工作，提供180mA的驱动能力，让您在智能手机、IoT传感器等空间紧张的应用中，轻松实现高效的负载切换与电源管理。

这颗芯片采用超紧凑的SOT-363封装，极大地节省了您的PCB宝贵空间。其优异的性能让您的设计不仅更小巧，而且运行更高效、更可靠，是提升产品竞争力和续航能力的秘密武器。

• 型号:DMN65D8LDWQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 115mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.87nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22pF @ 25V
• 功率 - 最大值:300mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN65D8LDWQ-13，Diodes产品一站式供应商。