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还在寻找一颗能同时兼顾高性能与微型封装的开关解决方案吗？DMN65D8LDWQ-7正是您的理想之选！这颗由Diodes Incorporated精心打造的N沟道MOSFET阵列芯片，集成了两个独立的60V耐压MOSFET于微小的SOT-363封装内。

它能让您轻松实现电路板上的空间优化，用单颗芯片完成以往需要多颗分立器件才能实现的双路开关或信号调理功能。这不仅简化了您的设计布局，降低了BOM成本，更提升了系统的整体可靠性。无论是用于负载开关、电平转换还是信号隔离，它都能确保高效、低损耗的电流路径，让您的产品运行更稳定，能效表现更出众。

• 型号:DMN65D8LDWQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 115mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.87nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22pF @ 25V
• 功率 - 最大值:300mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN65D8LDWQ-7，Diodes产品一站式供应商。